型号:IDT71256L20YGI | 类别:存储器 | 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc |
封装:28-BSOJ | 描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ |
详细参数
类别 | 存储器 |
---|---|
描述 | IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ |
系列 | - |
制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
格式_存储器 | RAM |
存储器类型 | SRAM - 异步 |
存储容量 | 256K (32K x 8) |
速度 | 20ns |
接口 | 并联 |
电压_电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
封装/外壳 | 28-BSOJ |
供应商器件封装 | 28-SOJ |
包装 | 管件 |
供应商
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IDT71256L20YGI相关型号
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0805(2012 公制)
CAP CER 1100PF 50V 5% NP0 0805
- IDT71124S12YG
存储器
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32-BSOJ
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1206(3216 公制)
CAP CER 0.033UF 50V 5% NP0 1206
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轴向
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32-BSOJ
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0805(2012 公制)
CAP CER 1100PF 50V 5% NP0 0805
- GRM3195C1H392JA01D
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1206(3216 公制)
CAP CER 3900PF 50V 5% NP0 1206
- IDT72T54262L5BB
逻辑 - FIFO
IDT, Integrated Device Technology Inc
324-BGA
IC FIFO DDR/SDR QUAD/DUAL 324BGA
- HVR2500007323FR500
通孔电阻器
Vishay BC Components
轴向
RES 732K OHM METAL FILM .25W 1%
- ICS86962CYI-01
时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器
IDT, Integrated Device Technology Inc
32-LQFP
IC BUFFER ZD LVCMOS/LVTTL 32LQFP
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0805(2012 公制)
CAP CER 12PF 50V 5% NP0 0805
- IDT71256L20YG8
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CAP CER 4700PF 50V 5% NP0 1206
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324-BGA
IC FIFO DDR/SDR QUAD/DUAL 324BGA
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通孔电阻器
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0805(2012 公制)
CAP CER 1300PF 50V 5% NP0 0805
- IDT71256L25YGI
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
28-BSOJ
IC SRAM 256KBIT 25NS 28SOJ
- GRM3195C1H622JA01D
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Murata Electronics North America
1206(3216 公制)
CAP CER 6200PF 50V 5% NP0 1206
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RES 825K OHM METAL FILM .25W 1%
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时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器
IDT, Integrated Device Technology Inc
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IC CLOCK GENERATOR ZD 32-LQFP
- GRM3195C1H622JA01D
陶瓷
Murata Electronics North America
1206(3216 公制)
CAP CER 6200PF 50V 5% NP0 1206
- GRM2165C1H151JA01D
陶瓷
Murata Electronics North America
0805(2012 公制)
CAP CER 150PF 50V 5% NP0 0805